HPE 12.8TB NVMe G5 High Performance MU E3.S EC1 E3 Thin SSD P91102-B21

HPE 12.8TB NVMe G5 High Performance MU E3.S EC1 E3 Thin SSD P91102-B21

اس اس دی HPE 12.8TB NVMe G5 High Performance MU P91102-B21 یک حافظه حالت جامد سازمانی با کاربرد مختلط (Mixed Use) و ظرفیت ۱۲.۸ ترابایت است که برای بارهای کاری با نیاز به تعادل بین خوانش و نوشش در دیتاسنترهای مدرن طراحی شده است . این درایو با بهره‌گیری از اینترفیس پرسرعت NVMe Gen5 و فرم‌فکتور جدید EDSFF E3.S، پهنای باند دو برابر نسل قبل را ارائه می‌دهد و برای برنامه‌های تحلیل کلان‌داده، محاسبات با کارایی بالا و مجازی‌سازی ایده‌آل است . فرم‌فکتور EDSFF با تراکم بالا، امکان نصب تا ۲۰ عدد در سرور ۱U را فراهم می‌کند که آن را به انتخابی ایده‌آل برای دیتاسنترهای با فضای محدود تبدیل کرده است .

خرید اس اس دی HPE 12.8TB NVMe G5 MU

مشخصات فنی اس اس دی HPE 12.8TB NVMe G5 MU P91102-B21

• برند HPE: محصولی از شرکت معتبر Hewlett Packard Enterprise با کیفیت بالا و پشتیبانی جهانی

• پارت نامبر P91102-B21: شناسه رسمی و منحصربه‌فرد محصول برای ثبت سفارش دقیق

• ظرفیت 12.8 ترابایت: فضای ذخیره‌سازی بالا برای پروژه‌های کلان‌داده و پایگاه‌های حجیم با کاربرد مختلط

• نوع اینترفیس NVMe Gen5: ارتباط مستقیم با پردازنده از طریق گذرگاه PCIe با پهنای باند دو برابر نسل قبل

• فرم فکتور EDSFF E3.S: نسل جدید فرم‌فکتور برای تراکم بالا، خنک‌سازی بهتر و مدیریت آسان در سرورهای ۱U 

• خوانش ترتیبی تا ۱۴۱۲۵ MB/s: عملکرد فوق‌العاده برای بارگیری سریع داده‌های حجیم 

• نوشتن ترتیبی تا ۸۲۳۱ MB/s: سرعت بسیار بالا برای نوشتن داده‌های حجیم با کمترین زمان 

• IOPS خواندن تا ۱۲۰۴۱۵۰ IOPS: پاسخ‌گویی هم‌زمان به میلیون‌ها درخواست خوانش داده با تأخیر زیر میکروثانیه 

دلایل خرید اس اس دی HPE 12.8TB NVMe G5 MU P91102-B21

 دیتاسنترهای مدرن با حجم عظیم داده‌های مبتنی بر کلان‌داده، پایگاه‌های داده و مجازی‌سازی مواجه هستند که نیازمند ذخیره‌سازی با ظرفیت بالا، عملکرد متعادل خوانش و نوشش و تراکم بالا هستند. این درایو با کاربرد مختلط (Mixed Use) و سرعت‌های ۱۴۱۲۵ MB/s خواندن و ۸۲۳۱ MB/s نوشتن، نیازهای ذخیره‌سازی نسل جدید را به بهترین شکل پاسخ می‌دهد .

۵ دلیل کلیدی برای خرید:

• ظرفیت ۱۲.۸ ترابایت با فرم‌فکتور EDSFF: کاهش تعداد درایوهای مورد نیاز و صرفه‌جویی در فضای رک با تراکم بالا تا ۲۰ درایو در سرور ۱U 

• کاربرد مختلط (Mixed Use): تعادل بین خوانش و نوشش برای برنامه‌های با I/O بالا مانند پایگاه‌های داده و مجازی‌سازی 

• فرم‌فکتور EDSFF با کریر باریک: بهبود جریان هوا و خنک‌سازی برای عملکرد پایدار در دیتاسنترهای با تراکم بالا

• قابلیت تعویض داغ (Hot Plug): تعویض آسان درایو بدون توقف سیستم و کاهش زمان توقف سرویس‌های حیاتی 

• عملکرد IOPS استثنایی با ۱.۲ میلیون IOPS خواندن: پاسخ‌گویی هم‌زمان به میلیون‌ها درخواست برای محیط‌های با ترافیک بالا

کاربردها

• تحلیل کلان‌داده و هوش مصنوعی: ذخیره‌سازی و دسترسی سریع به داده‌های حجیم با سرعت خواندن ۱۴۱۲۵ MB/s و تأخیر زیر میکروثانیه 

• پایگاه‌های داده با تراکنش سنگین: پردازش همزمان درخواست‌ها با IOPS بالا و پهنای باند گسترده

• محاسبات با کارایی بالا (HPC): اجرای برنامه‌های سنگین با نیاز به پهنای باند بالا و تأخیر بسیار کم 

• مجازی‌سازی و زیرساخت ابری: اجرای ماشین‌های مجازی با نیاز به عملکرد متعادل خوانش و نوشش

مزایا

• ظرفیت بالا در فرم‌فکتور EDSFF: کاهش تعداد درایوها و صرفه‌جویی در فضای رک با تراکم بالا

• عملکرد متعادل خوانش و نوشش با PCIe Gen5: مناسب برای بارهای کاری با نیاز به تعادل بین خواندن و نوشتن 

• طراحی با کریر باریک (Thin Carrier): بهبود جریان هوا، خنک‌سازی بهتر و افزایش تراکم در سرورهای ۱U

• قابلیت HotPlug و تعویض آسان: کاهش زمان توقف سرویس‌ها در هنگام تعویض یا ارتقاء درایو 

• سازگاری با سرورهای نسل ۱۱ و جدیدتر: اطمینان از عملکرد بهینه در پلتفرم‌های اصلی HPE Compute 

محدودیت‌ها

• عملکرد نوشتن پایین‌تر نسبت به خواندن: برای بارهای کاری با نوشتن بسیار سنگین، مدل‌های Write Intensive گزینه بهتری هستند

• سازگاری محدود به سرورهای نسل ۱۱ و جدیدتر: عدم پشتیبانی از سرورهای نسل قبلی که از PCIe Gen5 پشتیبانی نمی‌کنند 

• قیمت بالا: به دلیل ظرفیت بالا، فناوری پیشرفته و فرم‌فکتور جدید، قیمت بیشتری نسبت به مدل‌های با ظرفیت کمتر دارد

سوالات متداول

۱- تفاوت کاربرد Mixed Use (MU) با Read Intensive (RI) در چیست؟
کاربرد Mixed Use برای بارهای کاری با ترکیب خوانش و نوشش متعادل طراحی شده است، در حالی که Read Intensive برای بارهای کاری با حجم خوانش بسیار بالا (بیش از ۹۰٪) بهینه‌سازی شده است .

۲- آیا این درایو با سرورهای HPE ProLiant Gen10 سازگار است؟
خیر، این درایو برای پلتفرم‌های اصلی HPE Compute (نسل ۱۱ و جدیدتر) طراحی شده است و با سرورهای Gen10 که از PCIe Gen3 پشتیبانی می‌کنند، سازگاری ندارد .

۳- تفاوت فرم‌فکتور EDSFF E3.S با درایوهای ۲.۵ اینچی در چیست؟
EDSFF E3.S فرم‌فکتور جدیدی است که به طور خاص برای درایوهای NVMe طراحی شده و نسبت به درایوهای ۲.۵ اینچی، چگالی بالاتر، مدیریت حرارت بهتر و اتصال مستقیم‌تر به سیستم را ارائه می‌دهد .

۴- حداکثر تعداد درایوهای قابل نصب در سرور ۱U با این فرم‌فکتور چقدر است؟
با فرم‌فکتور EDSFF E3.S، می‌توان تا ۲۰ درایو را در یک سرور ۱U نصب کرد که تراکم ذخیره‌سازی را به طور چشمگیری افزایش می‌دهد .

۵- این درایو چه گارانتی دارد و پایایی آن چقدر است؟
این درایو دارای گارانتی ۳ ساله HPE با پشتیبانی CSR (Customer Self Repair) است و پایایی آن ۳.۴۹ DWPD (Drive Writes Per Day) می‌باشد که برای کاربرد مختلط بسیار مناسب است .

خرید محصول اس اس دی HPE 12.8TB NVMe G5 MU P91102-B21 از یاقوت سرخ

چرا یاقوت سرخ این مدل را پیشنهاد می‌دهد؟

اس اس دی HPE 12.8TB NVMe Gen5 High Performance MU P91102-B21 به دلیل ترکیب بی‌نظیر ظرفیت ۱۲.۸ ترابایت، کاربرد مختلط (Mixed Use) و فرم‌فکتور پیشرفته EDSFF، یکی از بهترین انتخاب‌ها برای سازمان‌هایی است که با حجم عظیم داده‌های کلان‌داده، پایگاه‌های حجیم و محاسبات با کارایی بالا سروکار دارند. این درایو با تراکم بالای ۲۰ عدد در سرور ۱U، بهینه‌ترین گزینه برای دیتاسنترهایی است که به دنبال حداکثر ظرفیت ذخیره‌سازی در کمترین فضای فیزیکی هستند .

یاقوت سرخ این محصول را به دلیل فناوری پیشرفته NVMe Gen5، کاربرد مختلط (Mixed Use) و قابلیت تعویض داغ، برای سازمان‌های نیازمند بالاترین سطح عملکرد و مدیریت آسان پیشنهاد می‌دهد. این درایو با پایایی ۳.۴۹ DWPD و گارانتی ۳ ساله HPE، سرمایه‌گذاری بلندمدتی برای زیرساخت‌های حیاتی محسوب می‌شود .

یاقوت سرخ این محصول را با:
• یک سال گارانتی تعویض قطعات
• پنج سال پشتیبانی فنی تخصصی
• مشاوره رایگان در خصوص پیکربندی RAID، انتخاب بهترین فرم‌فکتور و بهینه‌سازی ذخیره‌سازی
• ارائه لاگ‌های سلامت و گزارش QC قبل از تحویل

عرضه می‌کند.تمامی قطعات پیش از تحویل، تحت تست‌های دقیق و استاندارد قرار می‌گیرند تا هیچ ریسکی متوجه زیرساخت سازمانی شما نباشد.